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上市不到一年 公司股价暴涨20多倍 什么行业这么牛？

该机构表示，IGBT未来将在新能源汽车、工业控制和家电领域保持高增长。全球IGBT市场基本被欧日企业占领，国内IGBT市场供需缺口巨大。作为中国稀缺的IGBT供应商，斯达半导体未来将受益于国内替代和IGBT产业链的持续繁荣。

近日，“芯片荒”再次受到业界关注，IGBT产业链供需持续吃紧，导致今年IGBT龙头斯达本月暴涨20%以上。事实上，自今年2月上市以来，斯达半导体已经比发行价上涨了20多倍。

对于普通投资者来说，IGBT这个词可能并不熟悉。IGBT(绝缘栅双极晶体管)绝缘栅双极晶体管是国际公认的电力电子技术第三次革命的代表产品，是工业控制和自动化领域的核心元件。它的功能类似于人的心脏，在电力电子行业也被称为CPU。IGBT广泛应用于汽车节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家电、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

自2005年成立以来，斯达半导体一直致力于IGBT芯片和快速恢复二极管芯片的设计和加工，以及IGBT模块的设计、制造和测试。2019年年报显示，IGBT模块的销售收入占公司总销售收入的95%以上，是公司的主要产品。据IHSMarkit 2018年报告数据，斯达在2017年IGBT模块供应商全球市场份额排名中排名第十，在中国企业中排名第一，成为全球前十名中唯一的中国企业。

机构认为，IGBT未来在新能源汽车、工业控制和家电等领域将保持较高增长，全球IGBT市场基本被欧洲与日本企业占据，国内IGBT市场供需缺口巨大，斯达半导作为国内稀缺的IGBT供应商，未来将受益于国产替代和IGBT产业链持续景气。

切入第三代半导体赛道，重点布局新能源汽车领域

12月17日，斯达半导体宣布计划投资2.3亿元建设SiC功率模块产业化项目。该公司预计投资生产线和R&D测试中心，年产80，000辆汽车级全碳化硅功率模块。项目建设期为2年，将根据市场需求逐步投入。

在项目可行性分析中，斯达表示，与传统燃油车相比，新能源车的半导体组件功率更高，性能要求更高，消耗是传统燃油车的数倍。碳化硅功率模块作为第三代半导体功率器件，具有宽带隙、高击穿场强、高饱和漂移率和高热导率的优点。其高温、高效、高频的特性是提高新能源汽车电机控制器功率密度和效率的关键因素。可以预见，在新能源汽车市场的带动下，汽车级碳化硅功率模块的市场需求将快速增长，市场空间巨大。

CICC认为，公司对SiC电源模块的布局是，一方面，公司在6月份与宇通客车达成合作，宇通将使用斯达和格力共同开发的1200V SiC电源模块开发电动客车的电气系统；另一方面，碳化硅作为第三代半导体材料，具有体积小、损耗低、耐高温的特点。虽然目前的价格是IGBT模块的3-4倍，但公司对SiC模块的布局有望为长期收入开辟增长空间。

斯达看好新能源汽车行业带来的增长。可行性分析报告提到，2020年11月，国务院发布的《新能源汽车产业发展规划（2021—2035年）》明确指出，2025年我国新能源汽车销量将达到25%左右，要求从2021年起，在国家生态文明试验区和大气污染防治重点地区新增或更新公共交通、租赁、物流配送等公共领域车辆，新能源汽车比例不低于80%。按照这个计算，2025年中国新能源汽车销量将超过640万辆，2021-2025年中国新能源汽车年均增长率将超过30%。

斯塔尔半总监认为，该项目实施后，将进一步提高公司汽车级全碳化硅功率模块的技术水平，提高其供应能力，为公司进一步开拓新能源汽车市场和增加市场份额奠定坚实基础。作为公司重点关注的战略市场，新能源汽车市场应加大汽车级全碳化硅规模集团的R&D化和产业化，这符合公司的战略发展方向。

国产替代空间广阔，公司具有先发优势

分析师认为，最近的“芯片短缺”情况再次提醒国内替代的紧迫性。根据CICC产业链调查，全球IGBT产品交货时间普遍延长，IGBT产业链供需继续紧张。如果未来产能继续紧张，一些IGBT材料的价格可能会上涨。

中国拥有世界上最大的汽车市场，国家大力推动新能源汽车的发展。然而，IGBT领域基本上由海外制造商主导，国内替代空间广阔。中泰证券的研究显示，从IGBT厂商的产品线来看，英飞凌、富士电气、IXYS等国际厂商覆盖了IGBT产品的整个电压范围，而瑞萨、罗马、意法半导体等厂商专注于中低压产品，三菱、CRRC、斯达半导体只提供IGBT模块产品。

据IHSMarkit数据，2017年，全球前五大IGBT厂商的市场份额总计超过70%，而在国内IGBT市场，海外厂商也占据了50%以上的市场份额，国内替代空间非常广阔。

业内人士认为，在本土化替代的大趋势下，斯达的半总监在人才方面具有明显的竞争优势，其核心创始人有着深厚的技术积累和前瞻性的国际视野。沈华(1963)，斯塔尔半导体公司的董事长和创始人，1995年获得麻省理工学院材料科学博士学位。1995年7月至1999年7月，他是西门子半导体部(1999年英飞凌的前身)的高级R&D工程师，1999年8月至2005年是Xilinx的高级项目经理。

唐逸女士，斯达半导体副总经理，1973年出生，2003年毕业于伦斯勒理工学院(RPI)电子工程系，2003年7月至2015年3月在国际整流器公司工作。她曾担任集成半导体器件的高级工程师、总工程师、高级总工程师、IGBT器件设计经理和IGBT器件设计经理。2015年，他加入斯达半导体，目前是公司的副总经理，负责IGBT芯片技术的研发。

斯达半导的两位主要负责人都与当前IGBT的行业老大英飞凌有着交集。2015年英飞凌收购了国际整流器公司，2017年英飞凌占据整个IGBT行业22.4%的市场份额。

中泰证券表示，在强大的R&D能力支持下，自主开发和外包芯片的比例不断提高。2016-2019年上半年，自主设计开发的芯片占比分别为31.0%、35.7%、49.0%和54.1%。同时，从价格上看，公司自主开发的芯片平均单价在上升，而购买的芯片单价在下降，这证实了公司强大的R&D能力。

技术上，公司在2012年和2015年成功自主研发了NPT芯片和FS-Trench芯片，分别对接了全球第四代和第六代芯片技术；目前公司正在研发第三代IGBT芯片，符合英飞凌、三菱等国际领先公司的第七代技术水平。

根据CICC的说法，IGBT新能源汽车的开发、验证和向最终客户推出大约需要5年时间。因此，像斯达这样已经具备IGBT汽车模块供应能力和客户基础的龙头企业，将具有很强的先发优势和稀缺性。该公司在IGBT芯片、封装和碳化硅技术方面的投资和突破也有望帮助该公司进一步打开销售局面。未来公司有望从现有的A/A0客户突破到更高端的B/C级商用车，同时增加配套车型的份额。